onsemi SuperFET II N-Channel MOSFET, 37 A, 600 V, 3-Pin TO-220 FCP104N60F

Код товара RS: 864-7893Бренд: onsemiПарт-номер производителя: FCP104N60F
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

37 A

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Серия

SuperFET II

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

104 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

357 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Ширина

4.672мм

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.36мм

Типичный заряд затвора при Vgs

110 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

15.215мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

SuperFET® and SuperFET® II N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

Fairchild added the SuperFET® II high-voltage power MOSFET family using the Super Junction Technology. It provides best-in-class robust body diode performance in AC-DC Switch Mode Power Supplies (SMPS) applications such as servers, telecom, computing, industrial power supply, UPS/ESS, solar inverter, lighting applications, which require high power density, system efficiency and reliability.
Utilizing an advanced charge balance technology, designers achieve more efficient, cost-effective and high performance solutions that take up less board space and improve reliability.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 905,50

тг 2 905,50 Each (ex VAT)

onsemi SuperFET II N-Channel MOSFET, 37 A, 600 V, 3-Pin TO-220 FCP104N60F
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 2 905,50
2тг 5 811,00
3тг 8 716,50
4тг 11 622,00
5тг 14 527,50
6тг 17 433,00
7тг 20 338,50
8тг 23 244,00
9тг 26 149,50
10тг 26 149,50
11тг 28 764,45
12тг 31 379,40
13тг 33 994,35
14тг 36 609,30
15тг 39 224,25

тг 2 905,50

тг 2 905,50 Each (ex VAT)

onsemi SuperFET II N-Channel MOSFET, 37 A, 600 V, 3-Pin TO-220 FCP104N60F
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 2 905,50
2тг 5 811,00
3тг 8 716,50
4тг 11 622,00
5тг 14 527,50
6тг 17 433,00
7тг 20 338,50
8тг 23 244,00
9тг 26 149,50
10тг 26 149,50
11тг 28 764,45
12тг 31 379,40
13тг 33 994,35
14тг 36 609,30
15тг 39 224,25

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицы
1 - 9тг 2 905,50
10 - 99тг 2 614,95
100 - 399тг 2 145,60
400 - 799тг 1 971,27
800+тг 1 805,88

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

37 A

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Серия

SuperFET II

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

104 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

357 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Ширина

4.672мм

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.36мм

Типичный заряд затвора при Vgs

110 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

15.215мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

SuperFET® and SuperFET® II N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

Fairchild added the SuperFET® II high-voltage power MOSFET family using the Super Junction Technology. It provides best-in-class robust body diode performance in AC-DC Switch Mode Power Supplies (SMPS) applications such as servers, telecom, computing, industrial power supply, UPS/ESS, solar inverter, lighting applications, which require high power density, system efficiency and reliability.
Utilizing an advanced charge balance technology, designers achieve more efficient, cost-effective and high performance solutions that take up less board space and improve reliability.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.