Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
40 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
ATPAK
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
31 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.6V
Максимальное рассеяние мощности
40 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
7.3мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
6.5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
34 нКл при 10 В
Высота
1.5мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
40 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
ATPAK
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
31 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.6V
Максимальное рассеяние мощности
40 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
7.3мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
6.5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
34 нКл при 10 В
Высота
1.5мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре