Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
115 мА
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
7,5 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.9мм
Ширина
1.3мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
0.94мм
Информация о товаре
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
Производственная упаковка (Катушка )
50
P.O.A.
Производственная упаковка (Катушка )
50
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
115 мА
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
7,5 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.9мм
Ширина
1.3мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
0.94мм
Информация о товаре