Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
380 мА
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
2,5 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.3V
Максимальное рассеяние мощности
420 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3.04мм
Типичный заряд затвора при Vgs
0,7 нКл при 4,5 В
Ширина
1.4мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.01мм
Информация о товаре
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
100
P.O.A.
100
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
380 мА
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
2,5 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.3V
Максимальное рассеяние мощности
420 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3.04мм
Типичный заряд затвора при Vgs
0,7 нКл при 4,5 В
Ширина
1.4мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.01мм
Информация о товаре