Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
100 A
Максимальное напряжение сток-исток
75 В
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
11 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.6V
Максимальное рассеяние мощности
90 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
10мм
Типичный заряд затвора при Vgs
280 нКл при 10 В
Ширина
9.2мм
Материал транзистора
Кремний
Высота
4.5мм
Информация о товаре
P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
тг 3 021,72
тг 1 510,86 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
Стандартная упаковка
2
тг 3 021,72
тг 1 510,86 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
Стандартная упаковка
2
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
2 - 2 | тг 1 510,86 | тг 3 021,72 |
4 - 8 | тг 1 439,34 | тг 2 878,68 |
10 - 48 | тг 1 238,19 | тг 2 476,38 |
50 - 98 | тг 1 215,84 | тг 2 431,68 |
100+ | тг 1 108,56 | тг 2 217,12 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
100 A
Максимальное напряжение сток-исток
75 В
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
11 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.6V
Максимальное рассеяние мощности
90 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
10мм
Типичный заряд затвора при Vgs
280 нКл при 10 В
Ширина
9.2мм
Материал транзистора
Кремний
Высота
4.5мм
Информация о товаре