Website Outage

Due to essential maintenance the website will be unavailable from 3am to 7am (GMT) Saturday 10th May. We apologise for any inconvenience.

P-Channel MOSFET, 100 A, 75 V, 3-Pin D2PAK onsemi SMP3003-DL-1E

Код товара RS: 805-4389Бренд: ON SemiconductorПарт-номер производителя: SMP3003-DL-1E
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

100 A

Максимальное напряжение сток-исток

75 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

11 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.6V

Максимальное рассеяние мощности

90 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10мм

Типичный заряд затвора при Vgs

280 нКл при 10 В

Ширина

9.2мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

4.5мм

Информация о товаре

P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 3 021,72

тг 1 510,86 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

P-Channel MOSFET, 100 A, 75 V, 3-Pin D2PAK onsemi SMP3003-DL-1E
Select packaging type

тг 3 021,72

тг 1 510,86 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

P-Channel MOSFET, 100 A, 75 V, 3-Pin D2PAK onsemi SMP3003-DL-1E
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
2 - 2тг 1 510,86тг 3 021,72
4 - 8тг 1 439,34тг 2 878,68
10 - 48тг 1 238,19тг 2 476,38
50 - 98тг 1 215,84тг 2 431,68
100+тг 1 108,56тг 2 217,12

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

100 A

Максимальное напряжение сток-исток

75 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

11 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.6V

Максимальное рассеяние мощности

90 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10мм

Типичный заряд затвора при Vgs

280 нКл при 10 В

Ширина

9.2мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

4.5мм

Информация о товаре

P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor