ON Semiconductor NTMD4820NR2G MOSFET

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

8 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

27 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

2 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

7,7 нКл при 4,5 В

Ширина

4мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

5мм

Высота

1.5мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

Philippines