Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
218 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
PQFN
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
1,15 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.8V
Максимальное рассеяние мощности
83 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
±16 В
Ширина
5.85мм
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
99 при 10 В нКл
Высота
1.05мм
Серия
PowerTrench
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.3V
Информация о товаре
N-Channel Power MOSFET, 30V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
218 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
PQFN
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
1,15 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.8V
Максимальное рассеяние мощности
83 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
±16 В
Ширина
5.85мм
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
99 при 10 В нКл
Высота
1.05мм
Серия
PowerTrench
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.3V
Информация о товаре