P-Channel MOSFET, 6.8 A, 30 V, 6-Pin MLP onsemi FDMA530PZ

Код товара RS: 671-0378Бренд: ON SemiconductorПарт-номер производителя: FDMA530PZ
brand-logo
View all in МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Количество элементов на ИС

1

Номер канала

Поднятие

Тип канала

P

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Число контактов

6

Конфигурация транзистора

Одинарный

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

0.75мм

Длина

2мм

Серия

PowerTrench

Ширина

2мм

Максимальное рассеяние мощности

2,4 Вт

Максимальный непрерывный ток стока

6,8 А

Тип корпуса

MLP

Максимальное сопротивление сток-исток

35 мΩ

Brand

ON Semiconductor

Типичный заряд затвора при Vgs

16 нКл при 10 В

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

P-Channel MOSFET, 6.8 A, 30 V, 6-Pin MLP onsemi FDMA530PZ
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

P.O.A.

P-Channel MOSFET, 6.8 A, 30 V, 6-Pin MLP onsemi FDMA530PZ
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

Купить большой партией

КоличествоЦена единицы
5 - 20P.O.A.
25 - 95P.O.A.
100 - 245P.O.A.
250 - 495P.O.A.
500+P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Количество элементов на ИС

1

Номер канала

Поднятие

Тип канала

P

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Число контактов

6

Конфигурация транзистора

Одинарный

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

0.75мм

Длина

2мм

Серия

PowerTrench

Ширина

2мм

Максимальное рассеяние мощности

2,4 Вт

Максимальный непрерывный ток стока

6,8 А

Тип корпуса

MLP

Максимальное сопротивление сток-исток

35 мΩ

Brand

ON Semiconductor

Типичный заряд затвора при Vgs

16 нКл при 10 В