Website Outage

Due to essential maintenance the website will be unavailable from 3am to 7am (GMT) Saturday 10th May. We apologise for any inconvenience.

Nexperia N-Channel MOSFET, 350 mA, 30 V, 3-Pin SOT-323 NX3008NBKW,115

Код товара RS: 136-4889Бренд: NexperiaПарт-номер производителя: NX3008NBKW,115
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

350 мА

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Серия

NX3008NBKW

Тип корпуса

SOT-323

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1,4 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.1V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.6V

Максимальное рассеяние мощности

830 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

1.35мм

Длина

2.2мм

Типичный заряд затвора при Vgs

0,52 нКл при 4,5 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

1мм

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, up to 30V

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Nexperia N-Channel MOSFET, 350 mA, 30 V, 3-Pin SOT-323 NX3008NBKW,115
Select packaging type

P.O.A.

Nexperia N-Channel MOSFET, 350 mA, 30 V, 3-Pin SOT-323 NX3008NBKW,115
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

350 мА

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Серия

NX3008NBKW

Тип корпуса

SOT-323

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1,4 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.1V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.6V

Максимальное рассеяние мощности

830 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

1.35мм

Длина

2.2мм

Типичный заряд затвора при Vgs

0,52 нКл при 4,5 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

1мм

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, up to 30V

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors