Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
2 А
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
120 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.1V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.5V
Максимальное рассеяние мощности
400 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Ширина
1.4мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
3мм
Типичный заряд затвора при Vgs
4,5 нКл при 10 В
Высота
1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
2 А
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
120 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.1V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.5V
Максимальное рассеяние мощности
400 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Ширина
1.4мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
3мм
Типичный заряд затвора при Vgs
4,5 нКл при 10 В
Высота
1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре