Dual P-Channel MOSFET, 160 mA, 50 V, 6-Pin SOT-363 Nexperia BSS84AKS,115

Код товара RS: 792-0917Бренд: NexperiaПарт-номер производителя: BSS84AKS,115
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Nexperia

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

160 мА

Максимальное напряжение сток-исток

50 В

Тип корпуса

SOT-363

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

7,5 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.1V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.1V

Максимальное рассеяние мощности

320 мВт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.2мм

Типичный заряд затвора при Vgs

0,26 нКл при 5 В

Ширина

1.35мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

2

Высота

1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Dual P-Channel MOSFET, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Вас может заинтересовать

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 75,99

Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)

Dual P-Channel MOSFET, 160 mA, 50 V, 6-Pin SOT-363 Nexperia BSS84AKS,115
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 30.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 30.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

30

Доступно в кратности 30
30тг 2 279,70
60тг 4 559,40
90тг 6 436,80
120тг 8 582,40
150тг 10 728,00
180тг 12 873,60
210тг 15 019,20
240тг 15 019,20
270тг 16 896,60
300тг 18 774,00
330тг 20 651,40
360тг 22 528,80
390тг 24 406,20
420тг 26 283,60
450тг 28 161,00

тг 75,99

Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)

Dual P-Channel MOSFET, 160 mA, 50 V, 6-Pin SOT-363 Nexperia BSS84AKS,115
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 30.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 30.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

30

Доступно в кратности 30
30тг 2 279,70
60тг 4 559,40
90тг 6 436,80
120тг 8 582,40
150тг 10 728,00
180тг 12 873,60
210тг 15 019,20
240тг 15 019,20
270тг 16 896,60
300тг 18 774,00
330тг 20 651,40
360тг 22 528,80
390тг 24 406,20
420тг 26 283,60
450тг 28 161,00

Купить большой партией

КоличествоЦена единицыPer Лента
30 - 60тг 75,99тг 2 279,70
90 - 210тг 71,52тг 2 145,60
240 - 480тг 62,58тг 1 877,40
510 - 2970тг 44,70тг 1 341,00
3000+тг 31,29тг 938,70
Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Brand

Nexperia

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

160 мА

Максимальное напряжение сток-исток

50 В

Тип корпуса

SOT-363

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

7,5 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.1V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.1V

Максимальное рассеяние мощности

320 мВт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.2мм

Типичный заряд затвора при Vgs

0,26 нКл при 5 В

Ширина

1.35мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

2

Высота

1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Dual P-Channel MOSFET, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Вас может заинтересовать