Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
320 мА
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
SOT-323
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
1,6 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.9V
Максимальное рассеяние мощности
310 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.2мм
Типичный заряд затвора при Vgs
0,72 нКл при 4,5 В
Ширина
1.35мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1мм
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
100
P.O.A.
100
Купить большой партией
Количество | Цена единицы |
---|---|
100 - 200 | P.O.A. |
300 - 400 | P.O.A. |
500 - 900 | P.O.A. |
1000 - 2900 | P.O.A. |
3000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
320 мА
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
SOT-323
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
1,6 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.9V
Максимальное рассеяние мощности
310 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.2мм
Типичный заряд затвора при Vgs
0,72 нКл при 4,5 В
Ширина
1.35мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1мм
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре