Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
330 мА
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Серия
BSN20BK
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
2,8 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.4V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.6V
Максимальное рассеяние мощности
1,67 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
1.4мм
Длина
3мм
Типичный заряд затвора при Vgs
0,49 нКл при 4,5 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.2V
Высота
1мм
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
100
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
100
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
330 мА
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Серия
BSN20BK
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
2,8 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.4V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.6V
Максимальное рассеяние мощности
1,67 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
1.4мм
Длина
3мм
Типичный заряд затвора при Vgs
0,49 нКл при 4,5 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.2V
Высота
1мм
Информация о товаре