Website Outage

Due to essential maintenance the website will be unavailable from 3am to 7am (GMT) Saturday 10th May. We apologise for any inconvenience.

Nexperia N-Channel MOSFET, 330 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 BSN20BKR

Код товара RS: 136-4845PБренд: NexperiaПарт-номер производителя: BSN20BKR
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

330 мА

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

BSN20BK

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

2,8 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.4V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.6V

Максимальное рассеяние мощности

1,67 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

1.4мм

Длина

3мм

Типичный заряд затвора при Vgs

0,49 нКл при 4,5 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

1мм

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Nexperia N-Channel MOSFET, 330 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 BSN20BKR
Select packaging type

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Nexperia N-Channel MOSFET, 330 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 BSN20BKR
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

330 мА

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

BSN20BK

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

2,8 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.4V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.6V

Максимальное рассеяние мощности

1,67 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

1.4мм

Длина

3мм

Типичный заряд затвора при Vgs

0,49 нКл при 4,5 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

1мм

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors