Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
470 мА
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
900 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
0.68V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.4V
Максимальное рассеяние мощности
417 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
1.4мм
Длина
3мм
Типичный заряд затвора при Vgs
2,2 нКл при 4,5 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
470 мА
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
900 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
0.68V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.4V
Максимальное рассеяние мощности
417 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
1.4мм
Длина
3мм
Типичный заряд затвора при Vgs
2,2 нКл при 4,5 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре