N-Channel MOSFET, 47 A, 30 V, 8-Pin PowerDFN56 MagnaChip MDU1516URH

Код товара RS: 871-5012Бренд: MagnaChipПарт-номер производителя: MDU1516URH
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

47 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

PowerDFN56

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

14 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.7V

Максимальное рассеяние мощности

35,7 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.1мм

Типичный заряд затвора при Vgs

14,6 нКл при 10 В

Ширина

5.1мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.1V

Высота

1.1мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Low Voltage (LV) MOSFET

These low voltage (LV) MOSFET provide low on-state resistance and fast switching performance.

MOSFET Transistors, MagnaChip

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 84,93

Each (On a Reel of 25) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 47 A, 30 V, 8-Pin PowerDFN56 MagnaChip MDU1516URH
Select packaging type

тг 84,93

Each (On a Reel of 25) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 47 A, 30 V, 8-Pin PowerDFN56 MagnaChip MDU1516URH
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Купить большой партией

КоличествоЦена единицыPer Катушка
25 - 100тг 84,93тг 2 123,25
125 - 225тг 84,93тг 2 123,25
250 - 475тг 80,46тг 2 011,50
500 - 2975тг 80,46тг 2 011,50
3000+тг 80,46тг 2 011,50

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

47 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

PowerDFN56

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

14 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.7V

Максимальное рассеяние мощности

35,7 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.1мм

Типичный заряд затвора при Vgs

14,6 нКл при 10 В

Ширина

5.1мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.1V

Высота

1.1мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Low Voltage (LV) MOSFET

These low voltage (LV) MOSFET provide low on-state resistance and fast switching performance.

MOSFET Transistors, MagnaChip