Техническая документация
Характеристики
Brand
MagnaChipТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
47 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
PowerDFN56
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
14 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.7V
Максимальное рассеяние мощности
35,7 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
6.1мм
Типичный заряд затвора при Vgs
14,6 нКл при 10 В
Ширина
5.1мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.1V
Высота
1.1мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Low Voltage (LV) MOSFET
These low voltage (LV) MOSFET provide low on-state resistance and fast switching performance.
MOSFET Transistors, MagnaChip
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
тг 84,93
Each (On a Reel of 25) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
тг 84,93
Each (On a Reel of 25) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
Купить большой партией
Количество | Цена единицы | Per Катушка |
---|---|---|
25 - 100 | тг 84,93 | тг 2 123,25 |
125 - 225 | тг 84,93 | тг 2 123,25 |
250 - 475 | тг 80,46 | тг 2 011,50 |
500 - 2975 | тг 80,46 | тг 2 011,50 |
3000+ | тг 80,46 | тг 2 011,50 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
MagnaChipТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
47 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
PowerDFN56
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
14 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.7V
Максимальное рассеяние мощности
35,7 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
6.1мм
Типичный заряд затвора при Vgs
14,6 нКл при 10 В
Ширина
5.1мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.1V
Высота
1.1мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Low Voltage (LV) MOSFET
These low voltage (LV) MOSFET provide low on-state resistance and fast switching performance.