Техническая документация
Характеристики
Brand
MagnaChipТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
153 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
4,5 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Максимальное рассеяние мощности
223 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
10.67мм
Типичный заряд затвора при Vgs
100 нКл при 10 В
Ширина
4.83мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.2V
Высота
16.51мм
Страна происхождения
Korea, Republic Of
Информация о товаре
Low Voltage (LV) MOSFET
These low voltage (LV) MOSFET provide low on-state resistance and fast switching performance.
MOSFET Transistors, MagnaChip
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Купить большой партией
Количество | Цена единицы |
---|---|
10 - 40 | P.O.A. |
50 - 90 | P.O.A. |
100 - 290 | P.O.A. |
300 - 490 | P.O.A. |
500+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
MagnaChipТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
153 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
4,5 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Максимальное рассеяние мощности
223 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
10.67мм
Типичный заряд затвора при Vgs
100 нКл при 10 В
Ширина
4.83мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.2V
Высота
16.51мм
Страна происхождения
Korea, Republic Of
Информация о товаре
Low Voltage (LV) MOSFET
These low voltage (LV) MOSFET provide low on-state resistance and fast switching performance.