IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 66 A, 500 V, 4-Pin SOT-227 IXFN80N50P

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

66 A

Максимальное напряжение сток-исток

500 В

Тип корпуса

SOT-227

Серия

HiperFET, Polar

Тип монтажа

Винтовой монтаж

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток

65 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Максимальное рассеяние мощности

700 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Ширина

25.07мм

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Количество элементов на ИС

1

Длина

38.2мм

Типичный заряд затвора при Vgs

195 нКл при 10 В

Высота

9.6мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C