IXYS HiperFET N-Channel MOSFET, 24 A, 1000 V, 4-Pin SOT-227 IXFN24N100

Код товара RS: 146-1694Бренд: IXYSПарт-номер производителя: IXFN24N100
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

24 A

Максимальное напряжение сток-исток

1000 В

Серия

HiperFET

Тип корпуса

SOT-227

Тип монтажа

Винтовой монтаж

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток

390 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5.5V

Максимальное рассеяние мощности

568 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

25.42мм

Длина

38.23мм

Типичный заряд затвора при Vgs

267 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

9.6мм

Информация о товаре

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Series

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

IXYS HiperFET N-Channel MOSFET, 24 A, 1000 V, 4-Pin SOT-227 IXFN24N100

P.O.A.

IXYS HiperFET N-Channel MOSFET, 24 A, 1000 V, 4-Pin SOT-227 IXFN24N100
Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

24 A

Максимальное напряжение сток-исток

1000 В

Серия

HiperFET

Тип корпуса

SOT-227

Тип монтажа

Винтовой монтаж

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток

390 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5.5V

Максимальное рассеяние мощности

568 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

25.42мм

Длина

38.23мм

Типичный заряд затвора при Vgs

267 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

9.6мм

Информация о товаре

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Series

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS