Техническая документация
Характеристики
Brand
IXYSТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
24 A
Максимальное напряжение сток-исток
1000 В
Серия
HiperFET
Тип корпуса
SOT-227
Тип монтажа
Винтовой монтаж
Число контактов
4
Максимальное сопротивление сток-исток
390 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5.5V
Максимальное рассеяние мощности
568 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
25.42мм
Длина
38.23мм
Типичный заряд затвора при Vgs
267 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
9.6мм
Информация о товаре
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Series
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
IXYSТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
24 A
Максимальное напряжение сток-исток
1000 В
Серия
HiperFET
Тип корпуса
SOT-227
Тип монтажа
Винтовой монтаж
Число контактов
4
Максимальное сопротивление сток-исток
390 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5.5V
Максимальное рассеяние мощности
568 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
25.42мм
Длина
38.23мм
Типичный заряд затвора при Vgs
267 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
9.6мм
Информация о товаре
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Series
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS