Infineon SPD50P03LGBTMA1 MOSFET

Код товара RS: 752-8495PБренд: InfineonПарт-номер производителя: SPD50P03LGBTMA1
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

50 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

5

Максимальное сопротивление сток-исток

12,5 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

150 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

95 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

6.73мм

Ширина

6.22мм

Материал транзистора

Кремний

Серия

OptiMOS P

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

2.41мм

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™P P-Channel Power MOSFETs

The Infineon OptiMOS™ P-Channel power MOSFETs are designed to give enhanced features meeting quality performances. Features include ultra-low switching loss, on-state resistance, Avalanche ratings as well as being AEC qualified for automotive solutions. Applications include dc-dc, motor control, automotive and eMobility.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon SPD50P03LGBTMA1 MOSFET
Select packaging type

P.O.A.

Infineon SPD50P03LGBTMA1 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

50 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

5

Максимальное сопротивление сток-исток

12,5 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

150 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

95 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

6.73мм

Ширина

6.22мм

Материал транзистора

Кремний

Серия

OptiMOS P

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

2.41мм

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™P P-Channel Power MOSFETs

The Infineon OptiMOS™ P-Channel power MOSFETs are designed to give enhanced features meeting quality performances. Features include ultra-low switching loss, on-state resistance, Avalanche ratings as well as being AEC qualified for automotive solutions. Applications include dc-dc, motor control, automotive and eMobility.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.