Infineon SPB17N80C3ATMA1 MOSFET

Код товара RS: 752-8482Бренд: InfineonПарт-номер производителя: SPB17N80C3ATMA1
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

17 A

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

290 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.9V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.1V

Максимальное рассеяние мощности

227 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Типичный заряд затвора при Vgs

12 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.31мм

Ширина

9.45мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Серия

CoolMOS C3

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

4.57мм

Информация о товаре

Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 011,50

Each (ex VAT)

Infineon SPB17N80C3ATMA1 MOSFET
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 2 011,50
2тг 4 023,00
3тг 6 034,50
4тг 8 046,00
5тг 10 057,50
6тг 12 069,00
7тг 14 080,50
8тг 16 092,00
9тг 18 103,50
10тг 20 115,00
11тг 22 126,50
12тг 24 138,00
13тг 26 149,50
14тг 28 161,00
15тг 30 172,50

тг 2 011,50

Each (ex VAT)

Infineon SPB17N80C3ATMA1 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 2 011,50
2тг 4 023,00
3тг 6 034,50
4тг 8 046,00
5тг 10 057,50
6тг 12 069,00
7тг 14 080,50
8тг 16 092,00
9тг 18 103,50
10тг 20 115,00
11тг 22 126,50
12тг 24 138,00
13тг 26 149,50
14тг 28 161,00
15тг 30 172,50

Купить большой партией

КоличествоЦена единицы
1 - 24тг 2 011,50
25 - 99тг 1 613,67
100 - 499тг 1 470,63
500 - 999тг 1 184,55
1000+тг 1 032,57

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

17 A

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

290 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.9V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.1V

Максимальное рассеяние мощности

227 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Типичный заряд затвора при Vgs

12 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.31мм

Ширина

9.45мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Серия

CoolMOS C3

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

4.57мм

Информация о товаре

Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.