Infineon IRLZ34NPBF MOSFET

Код товара RS: 541-1247Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IRLZ34NPBFDistrelec Article No.: 30341411
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

30 A

Максимальное напряжение сток-исток

55 В

Тип корпуса

TO-220AB

Серия

HEXFET

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

35 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

68 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-16 В, +16 В

Типичный заряд затвора при Vgs

25 нКл при 5 В

Ширина

4.69мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.54мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Прямое напряжение диода

1.3V

Высота

8.77мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon

Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Вас может заинтересовать
Информация о наличии не успела загрузиться

тг 648,15

тг 648,15 Each (ex VAT)

Infineon IRLZ34NPBF MOSFET
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 648,15
2тг 1 296,30
3тг 1 944,45
4тг 2 592,60
5тг 3 240,75
6тг 3 888,90
7тг 4 537,05
8тг 5 185,20
9тг 5 833,35
10тг 6 481,50
11тг 7 129,65
12тг 7 777,80
13тг 8 425,95
14тг 9 074,10
15тг 9 722,25

тг 648,15

тг 648,15 Each (ex VAT)

Infineon IRLZ34NPBF MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 648,15
2тг 1 296,30
3тг 1 944,45
4тг 2 592,60
5тг 3 240,75
6тг 3 888,90
7тг 4 537,05
8тг 5 185,20
9тг 5 833,35
10тг 6 481,50
11тг 7 129,65
12тг 7 777,80
13тг 8 425,95
14тг 9 074,10
15тг 9 722,25

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицы
1 - 24тг 648,15
25 - 99тг 330,78
100 - 249тг 286,08
250 - 499тг 277,14
500+тг 259,26
Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

30 A

Максимальное напряжение сток-исток

55 В

Тип корпуса

TO-220AB

Серия

HEXFET

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

35 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

68 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-16 В, +16 В

Типичный заряд затвора при Vgs

25 нКл при 5 В

Ширина

4.69мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.54мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Прямое напряжение диода

1.3V

Высота

8.77мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon

Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Вас может заинтересовать