Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 180 A, 100 V, 3-Pin TO-220AB IRLB4030PBF

Код товара RS: 688-7216Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IRLB4030PBFDistrelec Article No.: 30284088
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

180 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

TO-220AB

Серия

HEXFET

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

4 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

370 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-16 В, +16 В

Типичный заряд затвора при Vgs

87 нКл при 4,5 В

Ширина

4.83мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.67мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

9.02мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 3 039,60

тг 1 519,80 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 180 A, 100 V, 3-Pin TO-220AB IRLB4030PBF

2

Доступно в кратности 2
2тг 3 039,60
4тг 6 079,20
6тг 9 118,80
8тг 12 158,40
10тг 9 208,20
12тг 11 049,84
14тг 12 891,48
16тг 14 733,12
18тг 16 574,76
20тг 17 969,40
22тг 19 766,34
24тг 21 563,28
26тг 23 360,22
28тг 25 157,16
30тг 26 954,10

тг 3 039,60

тг 1 519,80 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 180 A, 100 V, 3-Pin TO-220AB IRLB4030PBF
Информация о наличии не успела загрузиться

2

Доступно в кратности 2
2тг 3 039,60
4тг 6 079,20
6тг 9 118,80
8тг 12 158,40
10тг 9 208,20
12тг 11 049,84
14тг 12 891,48
16тг 14 733,12
18тг 16 574,76
20тг 17 969,40
22тг 19 766,34
24тг 21 563,28
26тг 23 360,22
28тг 25 157,16
30тг 26 954,10

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
2 - 8тг 1 519,80тг 3 039,60
10 - 18тг 920,82тг 1 841,64
20 - 38тг 898,47тг 1 796,94
40 - 98тг 880,59тг 1 761,18
100+тг 849,30тг 1 698,60

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

180 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

TO-220AB

Серия

HEXFET

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

4 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

370 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-16 В, +16 В

Типичный заряд затвора при Vgs

87 нКл при 4,5 В

Ширина

4.83мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.67мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

9.02мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.