Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
298 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
I2PAK (TO-262)
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
2,2 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.4V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
375 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
4.83мм
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.67мм
Типичный заряд затвора при Vgs
170 нКл при 4,5 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Материал транзистора
Кремний
Высота
11.3мм
Серия
StrongIRFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.2V
Информация о товаре
StrongIRFET™ Logic-Level Power MOSFET, Infineon
An extension to the Infineon StrongIRFET family optimised for +5V logic-level gate drive. They share the same characteristics as the existing StrongIRFET family, such as low RDS(on) for greater efficiency, and high current carrying capacity for improved ruggedness and operational reliability.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
Стандартная упаковка
2
P.O.A.
Стандартная упаковка
2
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
298 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
I2PAK (TO-262)
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
2,2 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.4V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
375 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
4.83мм
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.67мм
Типичный заряд затвора при Vgs
170 нКл при 4,5 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Материал транзистора
Кремний
Высота
11.3мм
Серия
StrongIRFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.2V
Информация о товаре
StrongIRFET™ Logic-Level Power MOSFET, Infineon
An extension to the Infineon StrongIRFET family optimised for +5V logic-level gate drive. They share the same characteristics as the existing StrongIRFET family, such as low RDS(on) for greater efficiency, and high current carrying capacity for improved ruggedness and operational reliability.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.