Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
10 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
180 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
3,8 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-16 В, +16 В
Ширина
9.65мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
10.67мм
Типичный заряд затвора при Vgs
20 нКл при 5 В
Высота
4.83мм
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
10 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
180 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
3,8 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-16 В, +16 В
Ширина
9.65мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
10.67мм
Типичный заряд затвора при Vgs
20 нКл при 5 В
Высота
4.83мм
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C