N-Channel MOSFET, 195 A, 60 V, 3-Pin TO-220AB Infineon IRFB7530PBF

Код товара RS: 820-8833Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IRFB7530PBF
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

195 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

TO-220AB

Серия

StrongIRFET

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

2 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.7V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.1V

Максимальное рассеяние мощности

375 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.67мм

Типичный заряд затвора при Vgs

274 нКл при 10 В

Ширина

4.83мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

16.51мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Информация о товаре

StrongIRFET™ Power MOSFET, Infineon

Infineon's StrongIRFET family is optimized for low RDS(on) and high-current capability. This portfolio offers improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness ideal for industrial low frequency applications including motor drives, power tools, inverters and battery management where performance and robustness are essential.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Вас может заинтересовать

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 3 075,36

тг 1 537,68 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 195 A, 60 V, 3-Pin TO-220AB Infineon IRFB7530PBF
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2тг 3 075,36
4тг 6 150,72
6тг 9 226,08
8тг 12 301,44
10тг 15 376,80
12тг 18 452,16
14тг 21 527,52
16тг 24 602,88
18тг 27 678,24
20тг 17 969,40
22тг 19 766,34
24тг 21 563,28
26тг 23 360,22
28тг 25 157,16
30тг 26 954,10

тг 3 075,36

тг 1 537,68 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 195 A, 60 V, 3-Pin TO-220AB Infineon IRFB7530PBF
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2тг 3 075,36
4тг 6 150,72
6тг 9 226,08
8тг 12 301,44
10тг 15 376,80
12тг 18 452,16
14тг 21 527,52
16тг 24 602,88
18тг 27 678,24
20тг 17 969,40
22тг 19 766,34
24тг 21 563,28
26тг 23 360,22
28тг 25 157,16
30тг 26 954,10

Купить большой партией

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
2 - 18тг 1 537,68тг 3 075,36
20 - 48тг 898,47тг 1 796,94
50 - 148тг 880,59тг 1 761,18
150 - 248тг 835,89тг 1 671,78
250+тг 782,25тг 1 564,50
Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

195 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

TO-220AB

Серия

StrongIRFET

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

2 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.7V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.1V

Максимальное рассеяние мощности

375 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.67мм

Типичный заряд затвора при Vgs

274 нКл при 10 В

Ширина

4.83мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

16.51мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Информация о товаре

StrongIRFET™ Power MOSFET, Infineon

Infineon's StrongIRFET family is optimized for low RDS(on) and high-current capability. This portfolio offers improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness ideal for industrial low frequency applications including motor drives, power tools, inverters and battery management where performance and robustness are essential.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Вас может заинтересовать