Infineon IRF7389TRPBF MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N, P
Максимальный непрерывный ток стока
5,3 А, 7,3 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOIC
Серия
HEXFET
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
46 мΩ, 98 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Длина
5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
22 нКл при 10 В, 23 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
2
Ширина
4мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.5мм
Информация о товаре
Dual N/P-Channel Power MOSFET, Infineon
Infineon’s dual power MOSFETs integrate two HEXFET® devices to provide space-saving, cost-effective switching solutions in high component density designs where board space is at a premium. A variety of package options is available and designers can choose the Dual N/P-channel configuration.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N, P
Максимальный непрерывный ток стока
5,3 А, 7,3 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOIC
Серия
HEXFET
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
46 мΩ, 98 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Длина
5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
22 нКл при 10 В, 23 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
2
Ширина
4мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.5мм
Информация о товаре
Dual N/P-Channel Power MOSFET, Infineon
Infineon’s dual power MOSFETs integrate two HEXFET® devices to provide space-saving, cost-effective switching solutions in high component density designs where board space is at a premium. A variety of package options is available and designers can choose the Dual N/P-channel configuration.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.