Infineon OptiMOS™ N-Channel MOSFET, 300 A, 30 V, 8-Pin HSOF-8 IPT004N03LATMA1

Код товара RS: 168-5941Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPT004N03LATMA1
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

300 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Серия

OptiMOS

Тип корпуса

PG-HSOF-8

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

500 мкΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.2V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.7V

Максимальное рассеяние мощности

300 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

10.58мм

Длина

10.1мм

Типичный заряд затвора при Vgs

252 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1V

Высота

2.4мм

Страна происхождения

Malaysia

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™ Power MOSFET Family

OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

P.O.A.

Infineon OptiMOS™ N-Channel MOSFET, 300 A, 30 V, 8-Pin HSOF-8 IPT004N03LATMA1

1

Доступно в кратности 2000
1P.O.A.
2001P.O.A.
4001P.O.A.
6001P.O.A.
8001P.O.A.
10001P.O.A.
12001P.O.A.
14001P.O.A.
16001P.O.A.
18001P.O.A.
20001P.O.A.
22001P.O.A.
24001P.O.A.
26001P.O.A.
28001P.O.A.

P.O.A.

Infineon OptiMOS™ N-Channel MOSFET, 300 A, 30 V, 8-Pin HSOF-8 IPT004N03LATMA1

Информация о наличии не успела загрузиться

1

Доступно в кратности 2000
1P.O.A.
2001P.O.A.
4001P.O.A.
6001P.O.A.
8001P.O.A.
10001P.O.A.
12001P.O.A.
14001P.O.A.
16001P.O.A.
18001P.O.A.
20001P.O.A.
22001P.O.A.
24001P.O.A.
26001P.O.A.
28001P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

300 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Серия

OptiMOS

Тип корпуса

PG-HSOF-8

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

500 мкΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.2V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.7V

Максимальное рассеяние мощности

300 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

10.58мм

Длина

10.1мм

Типичный заряд затвора при Vgs

252 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1V

Высота

2.4мм

Страна происхождения

Malaysia

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™ Power MOSFET Family

OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.