N-Channel MOSFET, 50 A, 150 V, 3-Pin TO-220 Infineon IPP200N15N3 G

Код товара RS: 823-5611PБренд: InfineonПарт-номер производителя: IPP200N15N3 G
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

50 A

Максимальное напряжение сток-исток

150 В

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

20 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

150 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

10.36мм

Типичный заряд затвора при Vgs

23 нКл при 10 В

Ширина

4.57мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

15.95мм

Серия

OptiMOS 3

Страна происхождения

China

Вас может заинтересовать
IXYS IXTP50N20P MOSFET
IXYS IXTP50N20P MOSFETБренд: IXYS
P.O.A.Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 50 A, 150 V, 3-Pin TO-220 Infineon IPP200N15N3 G
Select packaging type

Производственная упаковка (Труба)

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 50 A, 150 V, 3-Pin TO-220 Infineon IPP200N15N3 G
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Производственная упаковка (Труба)

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Вас может заинтересовать
IXYS IXTP50N20P MOSFET
IXYS IXTP50N20P MOSFETБренд: IXYS
P.O.A.Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

50 A

Максимальное напряжение сток-исток

150 В

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

20 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

150 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

10.36мм

Типичный заряд затвора при Vgs

23 нКл при 10 В

Ширина

4.57мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

15.95мм

Серия

OptiMOS 3

Страна происхождения

China

Вас может заинтересовать
IXYS IXTP50N20P MOSFET
IXYS IXTP50N20P MOSFETБренд: IXYS
P.O.A.Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)