Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
20 А
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
TDSON
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
46 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.2V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
33 Вт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-16 В, +16 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
5.15мм
Типичный заряд затвора при Vgs
15 нКл при 10 В
Ширина
5.9мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.3V
Высота
0.75мм
Серия
OptiMOS
Информация о товаре
Infineon OptiMOS™ Dual Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
20
P.O.A.
20
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
20 А
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
TDSON
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
46 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.2V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
33 Вт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-16 В, +16 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
5.15мм
Типичный заряд затвора при Vgs
15 нКл при 10 В
Ширина
5.9мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.3V
Высота
0.75мм
Серия
OptiMOS
Информация о товаре
Infineon OptiMOS™ Dual Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.