Infineon IPD90P03P4L04ATMA1 MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
90 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Серия
OptiMOS P
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
6,8 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
137 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-16 В, +5 В
Типичный заряд затвора при Vgs
125 нКл при 10 В
Ширина
6.22мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.5мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
2.3мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Infineon OptiMOS™P P-Channel Power MOSFETs
The Infineon OptiMOS™ P-Channel power MOSFETs are designed to give enhanced features meeting quality performances. Features include ultra-low switching loss, on-state resistance, Avalanche ratings as well as being AEC qualified for automotive solutions. Applications include dc-dc, motor control, automotive and eMobility.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
тг 2 816,10
тг 563,22 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
тг 2 816,10
тг 563,22 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 5 - 120 | тг 563,22 | тг 2 816,10 |
| 125 - 495 | тг 353,13 | тг 1 765,65 |
| 500 - 2495 | тг 263,73 | тг 1 318,65 |
| 2500 - 12495 | тг 241,38 | тг 1 206,90 |
| 12500+ | тг 236,91 | тг 1 184,55 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
90 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Серия
OptiMOS P
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
6,8 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
137 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-16 В, +5 В
Типичный заряд затвора при Vgs
125 нКл при 10 В
Ширина
6.22мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.5мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
2.3мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Infineon OptiMOS™P P-Channel Power MOSFETs
The Infineon OptiMOS™ P-Channel power MOSFETs are designed to give enhanced features meeting quality performances. Features include ultra-low switching loss, on-state resistance, Avalanche ratings as well as being AEC qualified for automotive solutions. Applications include dc-dc, motor control, automotive and eMobility.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.