Infineon OptiMOS™ -T2 N-Channel MOSFET, 90 A, 30 V, 3-Pin DPAK IPD90N03S4L02ATMA1

Код товара RS: 825-9398Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPD90N03S4L-02
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

90 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Серия

OptiMOS T2

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

2,6 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.2V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

136 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-16 В, +16 В

Ширина

6.22мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

110 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

2.3мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

Malaysia

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™ T2 Power MOSFETs

Infineon’s new OptiMOS ™ -T2 has a range of energy efficient MOSFET transistors with CO2 reduction and electric drives. The new OptiMOS™ -T2 product family extends the existing families of OptiMOS™ -T and OptiMOS™.

OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 123,25

тг 424,65 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Infineon OptiMOS™ -T2 N-Channel MOSFET, 90 A, 30 V, 3-Pin DPAK IPD90N03S4L02ATMA1
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 2 123,25
10тг 4 246,50
15тг 6 369,75
20тг 8 493,00
25тг 10 616,25
30тг 12 739,50
35тг 14 862,75
40тг 16 986,00
45тг 19 109,25
50тг 21 232,50
55тг 23 355,75
60тг 25 479,00
65тг 27 602,25
70тг 29 725,50
75тг 31 848,75

тг 2 123,25

тг 424,65 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Infineon OptiMOS™ -T2 N-Channel MOSFET, 90 A, 30 V, 3-Pin DPAK IPD90N03S4L02ATMA1
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 2 123,25
10тг 4 246,50
15тг 6 369,75
20тг 8 493,00
25тг 10 616,25
30тг 12 739,50
35тг 14 862,75
40тг 16 986,00
45тг 19 109,25
50тг 21 232,50
55тг 23 355,75
60тг 25 479,00
65тг 27 602,25
70тг 29 725,50
75тг 31 848,75

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 95тг 424,65тг 2 123,25
100 - 495тг 259,26тг 1 296,30
500 - 995тг 232,44тг 1 162,20
1000 - 2495тг 205,62тг 1 028,10
2500+тг 201,15тг 1 005,75

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

90 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Серия

OptiMOS T2

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

2,6 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.2V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

136 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-16 В, +16 В

Ширина

6.22мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

110 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

2.3мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

Malaysia

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™ T2 Power MOSFETs

Infineon’s new OptiMOS ™ -T2 has a range of energy efficient MOSFET transistors with CO2 reduction and electric drives. The new OptiMOS™ -T2 product family extends the existing families of OptiMOS™ -T and OptiMOS™.

OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.