Infineon CoolMOS™ C6 N-Channel MOSFET, 10.6 A, 650 V, 3-Pin DPAK IPD60R380C6ATMA1

Код товара RS: 911-4993Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPD60R380C6ATMA1
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

10,6 А

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Серия

CoolMOS C6

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

380 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

83 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

6.22мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.73мм

Типичный заряд затвора при Vgs

32 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

2.41мм

Страна происхождения

Germany

Информация о товаре

Infineon CoolMOS™C6/C7 Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon CoolMOS™ C6 N-Channel MOSFET, 10.6 A, 650 V, 3-Pin DPAK IPD60R380C6ATMA1

P.O.A.

Infineon CoolMOS™ C6 N-Channel MOSFET, 10.6 A, 650 V, 3-Pin DPAK IPD60R380C6ATMA1
Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

10,6 А

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Серия

CoolMOS C6

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

380 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

83 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

6.22мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.73мм

Типичный заряд затвора при Vgs

32 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

2.41мм

Страна происхождения

Germany

Информация о товаре

Infineon CoolMOS™C6/C7 Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.