Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
10,6 А
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Серия
CoolMOS C6
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
380 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Максимальное рассеяние мощности
83 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
32 нКл при 10 В
Ширина
6.22мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
2.41мм
Информация о товаре
Infineon CoolMOS™C6/C7 Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
тг 1 859,52
тг 929,76 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
Стандартная упаковка
2
тг 1 859,52
тг 929,76 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
Стандартная упаковка
2
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
2 - 48 | тг 929,76 | тг 1 859,52 |
50 - 198 | тг 724,14 | тг 1 448,28 |
200 - 998 | тг 652,62 | тг 1 305,24 |
1000 - 4998 | тг 424,65 | тг 849,30 |
5000+ | тг 348,66 | тг 697,32 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
10,6 А
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Серия
CoolMOS C6
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
380 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Максимальное рассеяние мощности
83 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
32 нКл при 10 В
Ширина
6.22мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
2.41мм
Информация о товаре
Infineon CoolMOS™C6/C7 Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.