N-Channel MOSFET, 35 A, 100 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD35N10S3L26ATMA1

Код товара RS: 218-3043PБренд: InfineonПарт-номер производителя: IPD35N10S3L26ATMA1
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

35 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

OptiMOS-T

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

0.026 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.4V

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

Кремний

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 35 A, 100 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD35N10S3L26ATMA1
Select packaging type

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 35 A, 100 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD35N10S3L26ATMA1
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

35 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

OptiMOS-T

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

0.026 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.4V

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

Кремний