Infineon OptiMOS™ 5 N-Channel MOSFET, 45 A, 60 V, 3-Pin DPAK IPD053N06NATMA1

Код товара RS: 906-4491Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPD053N06NATMA1
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

45 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

OptiMOS 5

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

8 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

83 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.73мм

Типичный заряд затвора при Vgs

27 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Ширина

6.22мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

2.41мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™5 Power MOSFETs

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon OptiMOS™ 5 N-Channel MOSFET, 45 A, 60 V, 3-Pin DPAK IPD053N06NATMA1
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 10
1P.O.A.
11P.O.A.
21P.O.A.
31P.O.A.
41P.O.A.
51P.O.A.
61P.O.A.
71P.O.A.
81P.O.A.
91P.O.A.
101P.O.A.
111P.O.A.
121P.O.A.
131P.O.A.
141P.O.A.

P.O.A.

Infineon OptiMOS™ 5 N-Channel MOSFET, 45 A, 60 V, 3-Pin DPAK IPD053N06NATMA1
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 10
1P.O.A.
11P.O.A.
21P.O.A.
31P.O.A.
41P.O.A.
51P.O.A.
61P.O.A.
71P.O.A.
81P.O.A.
91P.O.A.
101P.O.A.
111P.O.A.
121P.O.A.
131P.O.A.
141P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

45 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

OptiMOS 5

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

8 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

83 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.73мм

Типичный заряд затвора при Vgs

27 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Ширина

6.22мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

2.41мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™5 Power MOSFETs

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.