Infineon OptiMOS™ 3 N-Channel MOSFET, 25 A, 250 V, 3-Pin D2PAK IPB600N25N3GATMA1
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
25 А
Максимальное напряжение сток-исток
250 В
Серия
OptiMOS 3
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
60 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
136 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.31мм
Типичный заряд затвора при Vgs
22 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Ширина
9.45мм
Материал транзистора
Кремний
Высота
4.57мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
тг 6 615,60
тг 661,56 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
тг 6 615,60
тг 661,56 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 10 - 240 | тг 661,56 | тг 6 615,60 |
| 250 - 740 | тг 630,27 | тг 6 302,70 |
| 750 - 1190 | тг 581,10 | тг 5 811,00 |
| 1200 - 2490 | тг 491,70 | тг 4 917,00 |
| 2500+ | тг 429,12 | тг 4 291,20 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
25 А
Максимальное напряжение сток-исток
250 В
Серия
OptiMOS 3
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
60 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
136 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.31мм
Типичный заряд затвора при Vgs
22 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Ширина
9.45мм
Материал транзистора
Кремний
Высота
4.57мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.