Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFET, 190 mA, 250 V, 3-Pin SOT-89 BSS192PH6327FTSA1

Код товара RS: 753-2848Бренд: InfineonПарт-номер производителя: BSS192PH6327FTSA1
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

190 мА

Максимальное напряжение сток-исток

250 В

Тип корпуса

SOT-89

Серия

SIPMOS

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

20 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

1 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

4.5мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

4,9 нКл при 10 В

Ширина

2.5мм

Высота

1.5мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs

The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range. The SIPMOS Power transistor can be used in a variety of applications including Telecom, eMobility, Notebooks, DC/DC devices as well as the automotive industry.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 1 251,60

тг 125,16 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFET, 190 mA, 250 V, 3-Pin SOT-89 BSS192PH6327FTSA1
Select packaging type

тг 1 251,60

тг 125,16 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFET, 190 mA, 250 V, 3-Pin SOT-89 BSS192PH6327FTSA1
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 240тг 125,16тг 1 251,60
250 - 990тг 98,34тг 983,40
1000 - 4990тг 84,93тг 849,30
5000 - 9990тг 75,99тг 759,90
10000+тг 71,52тг 715,20

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

190 мА

Максимальное напряжение сток-исток

250 В

Тип корпуса

SOT-89

Серия

SIPMOS

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

20 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

1 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

4.5мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

4,9 нКл при 10 В

Ширина

2.5мм

Высота

1.5мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs

The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range. The SIPMOS Power transistor can be used in a variety of applications including Telecom, eMobility, Notebooks, DC/DC devices as well as the automotive industry.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.