Infineon BFR93AE6327HTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 90 mA, 12 V, 3-Pin SOT-23
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
90 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
12 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
20 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
2 В
Максимальная рабочая частота
6 ГГц
Число контактов
3
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
2.9 x 1.3 x 1мм
Информация о товаре
RF Bipolar Transistors, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
тг 3 129,00
тг 31,29 Each (In a Pack of 100) (ex VAT)
Стандартная упаковка
100
тг 3 129,00
тг 31,29 Each (In a Pack of 100) (ex VAT)
Стандартная упаковка
100
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 100 - 100 | тг 31,29 | тг 3 129,00 |
| 200 - 900 | тг 26,82 | тг 2 682,00 |
| 1000 - 1900 | тг 22,35 | тг 2 235,00 |
| 2000 - 4900 | тг 22,35 | тг 2 235,00 |
| 5000+ | тг 22,35 | тг 2 235,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
90 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
12 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
20 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
2 В
Максимальная рабочая частота
6 ГГц
Число контактов
3
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
2.9 x 1.3 x 1мм
Информация о товаре
RF Bipolar Transistors, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon