Infineon HEXFET Silicon P-Channel MOSFET, 13 A, 150 V, 3-Pin DPAK AUIRFR6215TRL

Код товара RS: 229-1744PБренд: InfineonПарт-номер производителя: AUIRFR6215TRL
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

13 A

Максимальное напряжение сток-исток

150 В

Серия

HEXFET

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

0.295 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

Кремний

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Infineon HEXFET Silicon P-Channel MOSFET, 13 A, 150 V, 3-Pin DPAK AUIRFR6215TRL
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Infineon HEXFET Silicon P-Channel MOSFET, 13 A, 150 V, 3-Pin DPAK AUIRFR6215TRL

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

13 A

Максимальное напряжение сток-исток

150 В

Серия

HEXFET

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

0.295 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

Кремний