Infineon AUIRF3004WL MOSFET

Код товара RS: 165-6752Бренд: InfineonПарт-номер производителя: AUIRF3004WL
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

386 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Серия

HEXFET

Тип корпуса

TO-262WL

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1,4 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

375 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4.83мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

10.67мм

Типичный заряд затвора при Vgs

140 нКл при 10 В

Высота

11.3мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

Mexico

Информация о товаре

Automotive N-Channel Power MOSFET, Infineon

Infineon's comprehensive portfolio of AECQ-101 Automotive-qualified single die N-channel devices addresses a wide variety of power requirements in many applications. This range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon AUIRF3004WL MOSFET

P.O.A.

Infineon AUIRF3004WL MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

386 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Серия

HEXFET

Тип корпуса

TO-262WL

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1,4 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

375 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4.83мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

10.67мм

Типичный заряд затвора при Vgs

140 нКл при 10 В

Высота

11.3мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

Mexico

Информация о товаре

Automotive N-Channel Power MOSFET, Infineon

Infineon's comprehensive portfolio of AECQ-101 Automotive-qualified single die N-channel devices addresses a wide variety of power requirements in many applications. This range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.