Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
1,3 А
Максимальное напряжение сток-исток
70 В
Тип корпуса
SOT-23
Серия
IntelliFET
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
600 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.5V
Максимальное рассеяние мощности
1,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Длина
3мм
Ширина
1.7мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Высота
0.9мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Страна происхождения
Germany
Информация о товаре
IntelliFET Self-protected MOSFETs, Diodes Inc
IntelliFET are self-protected MOSFETs that integrate a complete array of protection circuits that guard against ESD (Electrostatic Sensitive Device), over-current, over-voltage, and over-temperature conditions.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
Производственная упаковка (Катушка )
5
P.O.A.
Производственная упаковка (Катушка )
5
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
1,3 А
Максимальное напряжение сток-исток
70 В
Тип корпуса
SOT-23
Серия
IntelliFET
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
600 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.5V
Максимальное рассеяние мощности
1,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Длина
3мм
Ширина
1.7мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Высота
0.9мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Страна происхождения
Germany
Информация о товаре
IntelliFET Self-protected MOSFETs, Diodes Inc
IntelliFET are self-protected MOSFETs that integrate a complete array of protection circuits that guard against ESD (Electrostatic Sensitive Device), over-current, over-voltage, and over-temperature conditions.