Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
280 мА
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
E-Line
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
5 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3.5V
Максимальное рассеяние мощности
700 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
2.41мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
4.77мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
4.01мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
тг 3 084,30
тг 308,43 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
тг 3 084,30
тг 308,43 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
10 - 40 | тг 308,43 | тг 3 084,30 |
50 - 190 | тг 227,97 | тг 2 279,70 |
200 - 490 | тг 183,27 | тг 1 832,70 |
500 - 990 | тг 178,80 | тг 1 788,00 |
1000+ | тг 143,04 | тг 1 430,40 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
280 мА
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
E-Line
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
5 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3.5V
Максимальное рассеяние мощности
700 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
2.41мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
4.77мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
4.01мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре