Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
310 мА
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
4 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
540 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3мм
Типичный заряд затвора при Vgs
0,87 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Материал транзистора
Кремний
Ширина
1.4мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.1мм
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
Производственная упаковка (Катушка )
200
P.O.A.
Производственная упаковка (Катушка )
200
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
310 мА
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
4 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
540 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3мм
Типичный заряд затвора при Vgs
0,87 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Материал транзистора
Кремний
Ширина
1.4мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.1мм
Информация о товаре