Diodes Inc N-Channel MOSFET, 6.4 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 DMN2041L-7

Код товара RS: 751-4149PБренд: DiodesZetexПарт-номер производителя: DMN2041L-7
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

6,4 A

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

41 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Максимальное рассеяние мощности

780 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 В, +12 В

Типичный заряд затвора при Vgs

15,6 нКл при 10 В

Ширина

1.4мм

Материал транзистора

Кремний

Длина

3мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Количество элементов на ИС

1

Высота

1.1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Diodes Inc N-Channel MOSFET, 6.4 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 DMN2041L-7
Select packaging type

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Diodes Inc N-Channel MOSFET, 6.4 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 DMN2041L-7
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

6,4 A

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

41 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Максимальное рассеяние мощности

780 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 В, +12 В

Типичный заряд затвора при Vgs

15,6 нКл при 10 В

Ширина

1.4мм

Материал транзистора

Кремний

Длина

3мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Количество элементов на ИС

1

Высота

1.1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.