Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
8Мбит
Тип интерфейса
CFI, Параллельный
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Число контактов
48
Организация
1M x 8 бит, 512К x 16 бит
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип ячейки
ИЛИ-НЕ
Минимальное рабочее напряжение питания
2,7 В
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Размеры
18.5 x 12.1 x 1.05мм
Количество слов
1M, 512K
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Количество бит на слово
8 bit, 16 bit
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Максимальное время произвольного доступа
70нс
Страна происхождения
United States
Информация о товаре
Parallel NOR Flash Memory, Cypress Semiconductor
Flash Memory
FLASH Memory IC is a non-volatile RAM that has to be written/erased in blocks. It does have a limited life in terms of number of write cycles and tends to be used for program storage that is infrequently changed.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
Производственная упаковка (Лоток)
10
P.O.A.
Производственная упаковка (Лоток)
10
Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
8Мбит
Тип интерфейса
CFI, Параллельный
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Число контактов
48
Организация
1M x 8 бит, 512К x 16 бит
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип ячейки
ИЛИ-НЕ
Минимальное рабочее напряжение питания
2,7 В
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Размеры
18.5 x 12.1 x 1.05мм
Количество слов
1M, 512K
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Количество бит на слово
8 bit, 16 bit
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Максимальное время произвольного доступа
70нс
Страна происхождения
United States
Информация о товаре
Parallel NOR Flash Memory, Cypress Semiconductor
Flash Memory
FLASH Memory IC is a non-volatile RAM that has to be written/erased in blocks. It does have a limited life in terms of number of write cycles and tends to be used for program storage that is infrequently changed.