Cypress Semiconductor CY14B256LA-SZ45XI SRAM
Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
256Кбит
Организация
32К x 8 бит
Количество слов
32K
Количество бит на слово
8бит
Максимальное время произвольного доступа
45нс
Ширина адресной шины
8бит
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOIC
Число контактов
32
Размеры
20.878 x 7.594 x 2.286мм
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Высота
2.286мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Минимальное рабочее напряжение питания
2,7 В
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
20.878мм
Ширина
7.594мм
Информация о товаре
Non-Volatile RAM, Cypress Semiconductor
Non-Volatile RAM (NVRAM)
NVRAMs are modules containing a CMOS static RAM and a non-rechargeable Lithium battery to maintain the data when the power supply is removed. Some devices in the range also incorporate a real-time clock (RTC).
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
Стандартная упаковка
1
P.O.A.
Стандартная упаковка
1
Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
256Кбит
Организация
32К x 8 бит
Количество слов
32K
Количество бит на слово
8бит
Максимальное время произвольного доступа
45нс
Ширина адресной шины
8бит
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOIC
Число контактов
32
Размеры
20.878 x 7.594 x 2.286мм
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Высота
2.286мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Минимальное рабочее напряжение питания
2,7 В
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
20.878мм
Ширина
7.594мм
Информация о товаре
Non-Volatile RAM, Cypress Semiconductor
Non-Volatile RAM (NVRAM)
NVRAMs are modules containing a CMOS static RAM and a non-rechargeable Lithium battery to maintain the data when the power supply is removed. Some devices in the range also incorporate a real-time clock (RTC).