Vishay P-Channel MOSFET, 11.5 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SI7129DN-T1-GE3

Код товара RS: 818-1384PБренд: VishayПарт-номер производителя: SI7129DN-T1-GE3
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

11,5 А

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

PowerPAK 1212

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

20 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1.5V

Максимальное рассеяние мощности

52,1 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

3.15мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

3.15мм

Типичный заряд затвора при Vgs

47,5 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.07мм

Минимальная рабочая температура

-50 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Vishay P-Channel MOSFET, 11.5 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SI7129DN-T1-GE3
Select packaging type

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Vishay P-Channel MOSFET, 11.5 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SI7129DN-T1-GE3
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

11,5 А

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

PowerPAK 1212

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

20 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1.5V

Максимальное рассеяние мощности

52,1 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

3.15мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

3.15мм

Типичный заряд затвора при Vgs

47,5 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.07мм

Минимальная рабочая температура

-50 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor