Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
11,5 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
PowerPAK 1212
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
20 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1.5V
Максимальное рассеяние мощности
52,1 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
3.15мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3.15мм
Типичный заряд затвора при Vgs
47,5 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1.07мм
Минимальная рабочая температура
-50 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
20
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
20
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
11,5 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
PowerPAK 1212
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
20 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1.5V
Максимальное рассеяние мощности
52,1 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
3.15мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3.15мм
Типичный заряд затвора при Vgs
47,5 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1.07мм
Минимальная рабочая температура
-50 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре