Vishay P-Channel MOSFET, 9.9 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK ChipFET SI5419DU-T1-GE3

Код товара RS: 818-1312Бренд: VishayПарт-номер производителя: SI5419DU-T1-GE3
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

9,9 А

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

PowerPAK ChipFET

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

33 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Максимальное рассеяние мощности

31 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

1.98мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

3.08мм

Типичный заряд затвора при Vgs

30 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

0.85мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 3 397,20

тг 169,86 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)

Vishay P-Channel MOSFET, 9.9 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK ChipFET SI5419DU-T1-GE3
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 20.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 20.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

20

Доступно в кратности 20
20тг 3 397,20
40тг 6 794,40
60тг 10 191,60
80тг 13 588,80
100тг 16 986,00
120тг 20 383,20
140тг 23 780,40
160тг 27 177,60
180тг 30 574,80
200тг 33 972,00
220тг 37 369,20
240тг 40 766,40
260тг 44 163,60
280тг 47 560,80
300тг 42 912,00

тг 3 397,20

тг 169,86 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)

Vishay P-Channel MOSFET, 9.9 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK ChipFET SI5419DU-T1-GE3
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 20.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 20.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

20

Доступно в кратности 20
20тг 3 397,20
40тг 6 794,40
60тг 10 191,60
80тг 13 588,80
100тг 16 986,00
120тг 20 383,20
140тг 23 780,40
160тг 27 177,60
180тг 30 574,80
200тг 33 972,00
220тг 37 369,20
240тг 40 766,40
260тг 44 163,60
280тг 47 560,80
300тг 42 912,00

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
20 - 280тг 169,86тг 3 397,20
300 - 580тг 143,04тг 2 860,80
600 - 1480тг 125,16тг 2 503,20
1500 - 2980тг 98,34тг 1 966,80
3000+тг 98,34тг 1 966,80

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

9,9 А

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

PowerPAK ChipFET

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

33 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Максимальное рассеяние мощности

31 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

1.98мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

3.08мм

Типичный заряд затвора при Vgs

30 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

0.85мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor