Vishay N-Channel MOSFET, 5.2 A, 200 V, 3-Pin TO-220AB IRF620PBF

Код товара RS: 543-0052Бренд: VishayПарт-номер производителя: IRF620PBFDistrelec Article No.: 17115009
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

5,2 А

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Тип корпуса

TO-220AB

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

800 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

50 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

14 нКл при 10 В

Ширина

4.7мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.41мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

9.01мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать
N-channel MOSFET,IRF620 5.2A 200V
P.O.A.Each (ex VAT)
N-channel MOSFET,IRF620 6A 200V
P.O.A.Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

тг 630,27

тг 630,27 Each (ex VAT)

Vishay N-Channel MOSFET, 5.2 A, 200 V, 3-Pin TO-220AB IRF620PBF
Select packaging type

тг 630,27

тг 630,27 Each (ex VAT)

Vishay N-Channel MOSFET, 5.2 A, 200 V, 3-Pin TO-220AB IRF620PBF

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицы
1 - 24тг 630,27
25 - 99тг 277,14
100 - 249тг 236,91
250 - 499тг 210,09
500+тг 174,33
Вас может заинтересовать
N-channel MOSFET,IRF620 5.2A 200V
P.O.A.Each (ex VAT)
N-channel MOSFET,IRF620 6A 200V
P.O.A.Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

5,2 А

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Тип корпуса

TO-220AB

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

800 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

50 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

14 нКл при 10 В

Ширина

4.7мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.41мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

9.01мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать
N-channel MOSFET,IRF620 5.2A 200V
P.O.A.Each (ex VAT)
N-channel MOSFET,IRF620 6A 200V
P.O.A.Each (In a Pack of 5) (ex VAT)