Toshiba N-Channel MOSFET, 90 A, 100 V, 3-Pin TO-220 TK40E10N1,S1X(S
Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
90 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Серия
TK
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
8,2 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Максимальное рассеяние мощности
126 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
4.45мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.16мм
Типичный заряд затвора при Vgs
49 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
15.1мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
MOSFET Transistors, Toshiba
тг 2 860,80
тг 572,16 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
тг 2 860,80
тг 572,16 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 5 - 20 | тг 572,16 | тг 2 860,80 |
| 25 - 70 | тг 460,41 | тг 2 302,05 |
| 75 - 145 | тг 415,71 | тг 2 078,55 |
| 150 - 295 | тг 384,42 | тг 1 922,10 |
| 300+ | тг 326,31 | тг 1 631,55 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
90 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Серия
TK
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
8,2 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Максимальное рассеяние мощности
126 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
4.45мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.16мм
Типичный заряд затвора при Vgs
49 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
15.1мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре